2П524А9 - кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором, с
обогащенным n-каналом и встроенным обратносмещенным диодом, предназначенный для
использования в источниках вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре
специального назначения. Тип корпуса КТ-99-1. Технические условия АЕЯР.432140.519 ТУ.

Электрические параметры.

Транзистор должен быть стойким к воздействию механических, климатических, биологических факторов
и специальных сред по ГОСТ В 28146, по группе 6У ГОСТ РВ 20.39.414.1 со следующими уточнениями:
синусоидальная вибрация в диапазоне частот от 1 до 2 000 Гц с амплитудой ускорения 400 м·с-2
(40 g);
механический удар одиночного действия с пиковым ударным ускорением 15 000 м·с-2 (1500 g) и
длительностью действия (0,1 – 2) мс;
механический удар одиночного действия с пиковым ударным ускорением 300 000 м·с-2 (30 000 g)
и длительностью действия 0,1 мс;
линейное ускорение 5 000 м·с-2 (500 g);
акустический шум в диапазоне частот от 50 до 10 000 Гц с уровнем звукового давления
(относительно 2·10-5 Па) 170 дБ;
атмосферное пониженное давление 1,3·10-4 (10-6 ) Па (мм рт. ст);
повышенная рабочая и предельная температура среды 125 oС;
повышенная относительная влажность воздуха 98 % при температуре 35 oС.